HTOL推算可靠性寿命

chlyan

请教一个关于HTOL测试结果与可靠性寿命的问题；；HTOL一般设置是1.1Vcc & Tj=125°C, 1000HRS;; 一般工业级的芯片都要求寿命10年；可是芯片产品的实际应用结温达到105°C, 根据Arrhenius模型推送，125°C, 1000HRS的加速测试远远达不到10年寿命；；同时产品又不能承受更高结温的加速应力；；延长测试时间也是杯水车薪（因为10年105°C的结温需要>20000小时的125°C结温的加速），请教各位，在这种情况下各位是怎么处理的，谢谢

猫小乐

A) 继续保留 125 °C/1000 h 作为 JEDEC 最低门槛，用于批次放行与失效率（FIT）认证；
B) 用“设计-数据-多应力”组合拳，把真正限制寿命的磨损机理（EM、BTI、TDDB）在硅前-硅后量化，补齐 HTOL 覆盖不到的裕量。
JEDEC 允许用“零失效 + χ² 上限”把 FIT 推到 10 年以下（见 JESD85）。因此 125 °C/1000 h 依旧作为“市场准入”继续保留，只是不再把它当成唯一证据。
在布局后提取实际电流密度 Jmetal、JVIA，跑 EM/BTI/TDDB 签核（Ansys/RedHawk、Cadence Voltus、Synopsys PrimeRail）。
以 105 °C、1.1 Vcc 为应力，直接报告 0.1 % 故障率下的 POH（Power-On-Hours）。
把“设计-FIT”结果写成《Reliability Design Report》，与 HTOL 报告一起提交给客户/认证机构，形成“双轨证据”。

chlyan

猫小乐 发表于 2025-10-24 13:36
A) 继续保留 125 °C/1000 h 作为 JEDEC 最低门槛，用于批次放行与失效率（FIT）认证；
B) 用“设计-数据- ...

谢谢

flyerchang

猫小乐 发表于 2025-10-24 13:36
A) 继续保留 125 °C/1000 h 作为 JEDEC 最低门槛，用于批次放行与失效率（FIT）认证；
B) 用“设计-数据- ...

谢谢分享

gufengxxu168

ifother

感谢分享

chlyan

olof

用TA替代TJ计算也是可以的哇

olof

然后如果还不够10年，能否稍微提点测试电压