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浪涌(Surge)和静电(ESD)有什么区别? 分别用什么电子元器件防护

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发表于 昨天 20:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
浪涌(Surge):雷击、电网波动等引发,能量大、μs 级时长,低频大能量瞬态过压;用 MOV 压敏电阻、GDT 气体放电管、大功率 TVS、TSS 这类耐大能量器件防护。

静电(ESD):人体 / 物体放电产生,能量小、ns 级极短时间,高频小能量瞬态过压;选用低电容、响应快的器件:低容 TVS、ESD 保护阵列、低容压敏电阻。

选型原则:浪涌看能量容量,静电看响应速度与电容;工程上一般采用浪涌 + 静电组合防护,选型还要匹配电路参数和 IEC 标准。

浪涌(Surge)和静电(ESD)有什么区别?分别用什么电子元器件防护

浪涌(Surge)和静电(ESD)有什么区别?分别用什么电子元器件防护



静电放电(ESD)标准体系

中国国家标准(GB):GB/T 17626.2-2018《电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验》。

国际标准(IEC):IEC 61000-4-2:2008。中国的 GB/T 17626.2-2018 等同采用该 IEC 标准。

该标准定义的测试等级主要分为接触放电和空气放电,典型等级如下:

Level 1:接触放电 ±2kV,空气放电 ±2kV

Level 2:接触放电 ±4kV,空气放电 ±4kV

Level 3:接触放电 ±6kV,空气放电 ±8kV

Level 4:接触放电 ±8kV,空气放电 ±15kV

元器件级敏感度标准(易混淆)

这类标准评估的是芯片、分立器件等元器件本身对静电的耐受能力,而非整机。常见的模型包括人体模型(HBM)、充电器件模型(CDM)等。

人体模型(HBM):对应国标 GB/T 4937.26-2023,等同采用 IEC 60749-26:2018。

充电器件模型(CDM):对应 GB/T 4937 系列标准中的相关部分(如第28部分),其国际标准基础为 IEC 60749 系列。

浪涌(Surge)核心标准

浪涌测试主要评估设备承受雷击或开关操作引起的瞬态过电压/过电流的能力。

中国国家标准(GB):GB/T 17626.5-2019《电磁兼容 试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验》。该标准为现行有效版本,全部代替了旧版 GB/T 17626.5-2008。

国际标准(IEC):IEC 61000-4-5:2014。中国的 GB/T 17626.5-2019 等同采用(IDT)该 IEC 标准,意味着两者在技术内容和文本结构上基本一致。

该标准主要定义了两种模拟浪涌的波形:

1.2/50μs 电压波 & 8/20μs 电流波:用于电源端口和短距离信号端口。

10/700μs 电压波 & 5/320μs 电流波:专用于对称通信线端口(如网络线、RS485)。
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